技術編號：7060894
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開一種薄膜晶體管及像素結構，該薄膜晶體管包括基板、柵極、柵極絕緣層、氧化物半導體溝道層、介電層、源極以及漏極。柵極設置于基板上并與一柵極線連接。氧化物半導體溝道層實質上沿第二方向延伸，且第二方向與第一方向不平行也不垂直。介電層設置于氧化物半導體溝道層上并具有第一接觸洞與第二接觸洞，分別部分暴露出氧化物半導體溝道層，第一接觸洞的中心點與第二接觸洞的中心點在第一方向上不共線。源極設置于介電層上并經由第一接觸洞與氧化物半導體溝道層接觸且連接，漏極設置于介...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。