技術(shù)編號(hào)：7060820
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種InGaN基藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延生長(zhǎng)方法及其結(jié)構(gòu)，其外延結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方法包括以下具體步驟將藍(lán)寶石襯底在氨氣氣氛中進(jìn)行高溫退火處理，將溫度降低至530-580度，并調(diào)整外延生長(zhǎng)氣氛以生長(zhǎng)低溫InGaN成核層，之后升高溫度并依次生長(zhǎng)InGaN非故意摻雜層、n型InGaN層、InyGa1-yN/InxGa1-xN（y>x）多量子阱有源層、p-AlInGaN電子阻擋層、p型InGaN層和p++型InGaN接觸層。本發(fā)明所提供的InGaN基藍(lán)綠...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。