技術(shù)編號：7060423
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請的發(fā)明名稱為“”。本發(fā)明的目的在于如下當在像素電極上形成金屬膜并為層疊結(jié)構(gòu)時，使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極及金屬膜。本發(fā)明的技術(shù)方案在于如下層疊用作像素電極的導電膜和金屬膜；使用具有半透光部分的曝光掩模在金屬膜上形成具有膜厚度厚的區(qū)域和膜厚度比該區(qū)域薄的區(qū)域的抗蝕劑圖案；以及使用抗蝕劑圖案形成像素電極和接觸于該像素電極的一部分的金屬膜。根據(jù)以上，可以使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極及金屬膜。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及具有像素電極的半...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。