技術(shù)編號：7058825
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了。該薄膜晶體管包括基板；氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在基板上；源電極和漏電極，每個(gè)連接到氧化物半導(dǎo)體層并關(guān)于氧化物半導(dǎo)體層彼此面對；絕緣層，設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層上；以及柵電極，設(shè)置在絕緣層上。絕緣層包括第一層、第二層和第三層，其中第一層包括硅氧化物(SiOx)，第二層是氫阻擋層，第三層包括硅氮化物(SiNx)。第一層、第二層和第三層被順序地堆疊。專利說明 [0001] 本公開涉及一種薄膜晶體管W及制造該薄膜晶體管的方法。 背景技術(shù) [0002...
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