技術(shù)編號：7058550
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管、電荷傳輸晶體管、第一復(fù)位晶體管、源跟隨晶體管、選擇晶體管、漂浮有源區(qū)，還包括第二復(fù)位晶體管和N型離子區(qū)，第二復(fù)位晶體管與光電二極管相連；N型離子區(qū)的一部分位于所述電荷傳輸晶體管溝道中，另一部分位于所述漂浮有源區(qū)中，并且與漂浮有源區(qū)的N+區(qū)相連。像素的飽和電荷容量不受工作電勢限制，進(jìn)而有效提高了像素的飽和容量，提升了圖像傳感器輸出的圖像品質(zhì)。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及一種圖像傳感器，尤其涉及一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。