技術(shù)編號：7058340
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相變存儲(chǔ)技術(shù)是具有優(yōu)異性能的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，它不受技術(shù)節(jié)點(diǎn)限制，其體積越小性能越優(yōu)異，速度越快，功耗越低。本發(fā)明提出的相變存儲(chǔ)器器件單元由場效應(yīng)管和基于硫系化合物材料的阻變元件構(gòu)成，其中MoS2場效應(yīng)管作為選通管，硫系化合物阻變元件實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。MoS2是一種極薄的二維硫系化合物半導(dǎo)體材料，與通常的硅場效應(yīng)管相比，MoS2場效應(yīng)管體積更小，能耗極低，目前報(bào)道其功耗僅有硅材料的十萬分之一，室溫遷移率達(dá)到200cm2/Vs，室溫電流開關(guān)比達(dá)到108。將MoS2...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。