技術(shù)編號(hào)：7057683
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。半導(dǎo)體部件包括配置以發(fā)射輻射的輔助半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體部件進(jìn)一步包括半導(dǎo)體器件。在輔助半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件之間的電耦合和光耦合配置以，通過(guò)輔助半導(dǎo)體器件來(lái)觸發(fā)輻射的發(fā)射，以及通過(guò)半導(dǎo)體器件中的對(duì)輻射的吸收來(lái)觸發(fā)半導(dǎo)體器件中的雪崩擊穿。半導(dǎo)體器件包括在第一導(dǎo)電類型的第一層與第二導(dǎo)電類型的摻雜半導(dǎo)體區(qū)之間的PN結(jié)，該第一層埋在半導(dǎo)體本體的表面下方，該摻雜半導(dǎo)體區(qū)之設(shè)置在該表面與第一層之間。專利說(shuō)明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。