技術(shù)編號(hào)：7057337
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種低電阻率P型鋁鎵氮材料及其制備方法，該制備方法包括對(duì)襯底升溫，在氫氣環(huán)境下熱處理，去除襯底表面的雜質(zhì)；在襯底上生長(zhǎng)低溫成核層，為后續(xù)生長(zhǎng)材料提供成核中心；在低溫成核層上生長(zhǎng)一層非故意摻雜模板層；在非故意摻雜模板層上低溫外延生長(zhǎng)一層低碳雜質(zhì)濃度的P型鋁鎵氮層；在氮?dú)猸h(huán)境下，高溫退火使P型鋁鎵氮層中受主激活，得到低電阻率P型鋁鎵氮材料。利用本發(fā)明，通過更改生長(zhǎng)條件，降低低溫生長(zhǎng)的P型鋁鎵氮材料中非故意摻雜的碳雜質(zhì)的濃度，從而減輕了受主補(bǔ)償作用，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。