技術(shù)編號(hào)：7057152
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。，包括以下步驟選襯底；在所述襯底層上制備柵電極層；在所述柵電極層上制備柵介電層；在所述柵介電層上制備半導(dǎo)體活性層；在半導(dǎo)體活性層上制備帶微通道凹槽的源漏微通道層；在所述源漏微通道層上制備源電極和漏電極。本發(fā)明利用微流控技術(shù)，使用液體形態(tài)的導(dǎo)電材料通過(guò)制備好的微通道來(lái)代替原有的固態(tài)源漏電極，從而完成頂接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管，不僅簡(jiǎn)化了制備方法，降低了制備器件的成本，而且在保證頂接觸結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜晶體管原有的優(yōu)勢(shì)的前提下，很好的解決了對(duì)于頂接觸結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜晶體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。