技術(shù)編號(hào):7057150
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在光電子半導(dǎo)體芯片(1)的至少一個(gè)實(shí)施形式中,該光電子半導(dǎo)體芯片基于氮化物材料系并且包括至少一個(gè)有源量子阱(2)。所述至少一個(gè)有源量子阱(2)構(gòu)建為在工作中產(chǎn)生電磁輻射。此外,所述至少一個(gè)有源量子阱(2)在平行于半導(dǎo)體芯片(1)的生長(zhǎng)方向z的方向上具有N個(gè)相繼的區(qū)域(A),其中N是大于或等于2的自然數(shù)。區(qū)域(A)中的至少兩個(gè)具有彼此不同的平均銦含量c。專(zhuān)利說(shuō)明光電子半導(dǎo)體芯片[0001] 本申請(qǐng)是 申請(qǐng)人于2011年9月29日向中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)...
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