技術(shù)編號：7057097
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及碳化硅肖特基勢壘二極管的制造方法。背景技術(shù)在碳化硅肖特基勢壘二極管(以下，記為SiC-SBD)的制造中，肖特基金屬的選擇和正向特性的穩(wěn)定化是重要的。作為肖特基金屬，通常是Ti (鈦)、Ni (鎳)、Mo (鑰)以及W(鎢)等，但是，例如在制造Ti肖特基勢壘二極管的情況下，在采用Ni作為背面的電極形成Ni的歐姆接合的情況下，具有如下那樣的工藝上的特征以及問題。Bp,kv級的高耐壓的SiC-SBD具有在形成在碳化硅基板上的η型的外延層上形成...
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