技術(shù)編號：7056718
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括氮化物半導(dǎo)體層、被設(shè)置在所述層上的第一電極、被設(shè)置在所述層上的第二電極、被設(shè)置在所述層上的絕緣膜、被設(shè)置在所述膜上的第一控制電極、以及被設(shè)置在所述膜上的導(dǎo)體。所述第一控制電極包括第一邊和第二邊。所述第一邊被設(shè)置在所述第二邊與所述第一電極之間。所述導(dǎo)體包括第一部分和位于所述第一部分與所述第一電極之間的第三邊。在第一區(qū)域處的電場強度基本等于在第二區(qū)域處的電場強度。所述第一區(qū)域當(dāng)被投影到垂直于堆疊方向的平面上時，與所述第一邊重疊...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。