技術編號：7055933
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種將形成于基板上的膜處理至所期望的膜厚度的半導體制造裝置以及一種制造半導體裝置的方法。本發(fā)明還涉及一種電子設備的制造方法。背景技術在制造半導體裝置的過程中，存在利用濕法蝕刻將形成于基板上部的膜蝕刻處理至預定厚度的步驟。在濕法蝕刻的步驟中，在待被蝕刻處理的膜(下文中稱為被處理膜) 的初始膜厚度因每個晶片而有差異的情況下，存在這樣的問題，即當在相同條件下對所有晶片進行蝕刻處理時，被處理膜的最終膜厚度會存在差異。因此，過去的半導體制造裝置實踐中被應用...
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