技術(shù)編號(hào):7055847
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種高散熱性LED芯片及其制備方法。通過在LED芯片表面沉積一層透明導(dǎo)熱膜,增強(qiáng)芯片表面的熱量傳導(dǎo)能力,降低芯片溫度,改善芯片表面溫場的均勻性。該透明導(dǎo)熱膜選用ZrO2和Ag鍍膜材料,采用物理氣相沉積方法,在LED芯片襯底上依次生長ZrO2膜層,Ag膜層和ZrO2膜層的組合結(jié)構(gòu),該組合膜層能夠?qū)崿F(xiàn)芯片表面的透明導(dǎo)熱功能。本發(fā)明能夠有效降低LED芯片溫度,延緩芯片老化,能夠減小芯片表面的溫場梯度,改善芯片表面發(fā)光的一致性。專利說明一種高散熱性LE...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。