技術(shù)編號(hào)：7055775
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種帶槽型結(jié)構(gòu)的應(yīng)變NLDMOS器件及其制作方法，屬于半導(dǎo)體。技術(shù)方案為帶槽型結(jié)構(gòu)的應(yīng)變NLDMOS器件，包括半導(dǎo)體襯底、溝道摻雜區(qū)、漂移區(qū)、源重?fù)诫s區(qū)、漏重?fù)诫s區(qū)、柵氧、場(chǎng)氧、柵，還包括設(shè)置在漂移區(qū)的沿源漏方向的P型摻雜的槽型結(jié)構(gòu)，所述槽型結(jié)構(gòu)向漂移區(qū)寬度方向引入壓應(yīng)力、長(zhǎng)度方向引入張應(yīng)力。引入應(yīng)力的方法為向槽型結(jié)構(gòu)區(qū)域淀積無定型材料，通過退火使無定型材料變成多晶材料過程中體積的膨脹引入應(yīng)力，或者向槽型結(jié)構(gòu)區(qū)域進(jìn)行氧離子注入，退火使氧離子與硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。