技術(shù)編號(hào)：7055492
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種CVD石墨烯-SiC薄膜的太陽(yáng)能光伏硅片，其特征在于由硅片和覆蓋在其表面的石墨烯薄膜構(gòu)成。所述的硅片為單晶硅、多晶硅或帶狀硅中的一種。所述的石墨烯薄膜上有SiC、CSiC或Si的一種或多種官能團(tuán)，石墨烯薄膜厚度為10-1000nm，石墨烯薄膜與硅片外延粘接。該材料中由于SiC、CSiC或Si的一種或多種官能團(tuán)的加入能夠使石墨烯薄膜與基體緊密結(jié)合，且該石墨烯-SiC薄膜具有90％以上的透光率，并且對(duì)紅外光有強(qiáng)烈的吸收，能夠顯著提高光電轉(zhuǎn)化效率...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。