技術(shù)編號：7055286
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的第一目的在于提供一種與現(xiàn)有的LED芯片相比較亮度高、電壓低以及逆向電壓和漏電特性更優(yōu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件，具體結(jié)構(gòu)包括形成具有凸形臺面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的n型氮化物半導(dǎo)體層、p型氮化物半導(dǎo)體層等；凸形臺面包括第一上表面、側(cè)表面以及第二上表面；第一上表面、側(cè)表面以及第二上表面上均設(shè)有電流阻擋鈍化層；第一上表面以及其正上方的電流阻擋鈍化層的上表面上均設(shè)有透明導(dǎo)電層；或者第一上表面上還設(shè)有電流阻擋圖案層，電流阻擋圖案層、第一上表面以及其正上方的電流阻擋鈍化層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。