技術(shù)編號：7054794
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備n型第一SiC外延層；p型第二SiC外延層，其設(shè)置在第一SiC外延層上，并含有p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)，在將p型雜質(zhì)設(shè)定為元素A、將n型雜質(zhì)設(shè)定為元素D的情況下，元素A和元素D的組合為Al(鋁)、Ga(鎵)或者In(銦)與N(氮)的組合、B(硼)與P(磷)的組合中的至少一個組合，構(gòu)成組合的元素D的濃度相對于元素A的濃度之比大于0.33且小于1.0；表面區(qū)域，其設(shè)置在第二SiC外延層的表面，且相對于第二SiC外延層，元素A的濃度低、上述比大；...
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