技術(shù)編號：7054641
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了帶量子阱壘層的LED外延片、生長方法及LED結(jié)構(gòu)，該帶量子阱壘層的LED外延片，其結(jié)構(gòu)從下至上依次為襯底，GaN緩沖層，非摻雜GaN層，n型GaN層，發(fā)光層MQW，P型AlGaN層，P型GaN層，發(fā)光層MQW包括InxGa(1-x)N/InyGa(1-y)N量子阱層與InmGa(1-m)N/AlnGa(1-n)N量子阱層的組合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。本發(fā)明減少電子在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。