技術(shù)編號(hào)：7054577
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種按晶片等級(jí)進(jìn)行在襯底的兩面具有電極的功率器件的電特性檢查的探測(cè)裝置，在襯底的背面?zhèn)入姌O與吸盤頂部的載置面導(dǎo)體之間實(shí)現(xiàn)接觸電阻的降低和均勻化。在該探測(cè)裝置中，用于將半導(dǎo)體晶片W保持在吸盤頂部12上的吸附機(jī)構(gòu)，在吸盤頂部的載置面導(dǎo)體上以滿足Φ＜p≤2Φ的條件的圖案(口徑Φ、孔距p)設(shè)置多個(gè)垂直微細(xì)孔。作為一個(gè)例子，口徑Φ＝0.25mm、孔距p＝0.5mm。專利說(shuō)明探測(cè)裝置 [0001]本發(fā)明涉及用于按晶片等級(jí)進(jìn)行在襯底的兩面具有電極的功率器...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。