技術(shù)編號(hào)：7054424
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種并聯(lián)電容中間布局的低寄生電感GaN功率集成模塊，包括上橋臂器件、下橋臂器件和母線電容。上橋臂器件和下橋臂器件是LGA封裝的GaN器件，母線電容是貼片封裝。兩個(gè)GaN器件并排放置，多個(gè)母線電容并聯(lián)并放置在兩個(gè)GaN器件中間。上橋臂器件的所有源極引腳和下橋臂器件的所有漏極引腳通過過孔連接到內(nèi)部導(dǎo)電層上。本發(fā)明采用的布局方式，可以有效地減小高頻功率回路的面積，從而明顯地降低了高頻功率回路寄生電感，減小了開關(guān)過程中的過電壓和振蕩。專利說明一種并聯(lián)電容...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。