技術(shù)編號：7054360
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了，該監(jiān)控結(jié)構(gòu)包括光阻區(qū)和N型輕摻雜離子注入?yún)^(qū)，N型輕摻雜離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型輕摻雜離子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括N型阱、N型輕摻雜離子阱、柵極、介質(zhì)層以及對應(yīng)于N型輕摻雜離子阱的接觸孔；光阻區(qū)由N型阱-P型輕摻雜離子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括N型阱、P型輕摻雜離子阱、柵極、介質(zhì)層，以及對應(yīng)于P型輕摻雜離子阱的接觸孔；經(jīng)負(fù)電勢電子束掃描，利用同型結(jié)和異型結(jié)對應(yīng)的接觸孔顯示的亮度不同，前者顯示暗孔，后者顯示亮孔，根據(jù)發(fā)生亮度變化的接觸孔即可監(jiān)控光阻區(qū)的對準(zhǔn)度，從而...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。