技術(shù)編號(hào)：7054024
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。若不由無(wú)機(jī)絕緣膜覆蓋氧化物半導(dǎo)體層情況下進(jìn)行加熱處理而使氧化物半導(dǎo)體層晶化，則因晶化而形成表面凹凸，可能會(huì)產(chǎn)生電特性的不均勻。通過如下順序進(jìn)行工序在從剛形成氧化物半導(dǎo)體層之后直到與氧化物半導(dǎo)體層上接觸地形成包含氧化硅的無(wú)機(jī)絕緣膜之前的期間一次也不進(jìn)行加熱處理，在接觸于襯底上的氧化物半導(dǎo)體層上地形成第二絕緣膜之后進(jìn)行加熱處理。此外，在包含氧化硅的無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的氫密度為5×1020/cm3以上，或其氮密度為1×1019/cm3以上。專利說(shuō)明 [000...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。