技術(shù)編號(hào)：7053806
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，它包括硅襯底層、形成于硅襯底層上表面的發(fā)射極層、位于發(fā)射極層上表面的減反膜層、多個(gè)正面銀電極、位于硅襯底層底面的背面鈍化膜、覆蓋于背面鈍化膜底面的背面鋁層、多個(gè)背面銀電極、貫穿背面鈍化膜和背面鋁層的多個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)的上表面與硅襯底層底面相接觸，所述接觸區(qū)為銀質(zhì)線段形狀且排布成相互平行的多行，每行中的接觸區(qū)相互平行且間隔分布，相鄰行內(nèi)的接觸區(qū)交錯(cuò)分布，一方面能夠節(jié)約銀的耗量，另一方面減少了背面鋁層與硅襯底的接觸區(qū)面積，提高了電池光電轉(zhuǎn)化效率...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。