技術(shù)編號：7053007
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。該發(fā)光裝置包括基底、半導(dǎo)體主體、過渡層及p接觸層。該半導(dǎo)體主體可用來產(chǎn)生光且包括設(shè)置于所述基底上的n型層、設(shè)置于所述n型層上的p型層及設(shè)置于所述n型層和p型層之間的發(fā)光層。該過渡層設(shè)置于所述基底上且位于所述n型層和所述基底間，該過渡層包括復(fù)數(shù)個子層，所述復(fù)數(shù)個子層中的每層均包含有與其他子層不同的化合物且每一個子層的化合物均包括有IIIA族金屬、過渡金屬和氮元素。該p接觸層設(shè)置于所述半導(dǎo)體主體的p型層上。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及...
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