技術(shù)編號(hào):7052244
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了涉及制造補(bǔ)償器件的方法、裝置和設(shè)備。一些情況下,用于校準(zhǔn)目的沉積n/p共摻雜層以將凈摻雜濃度最小化。在其它情況下,然后交替地沉積n和p摻雜層。在其它實(shí)施例中,將n/p共摻雜層沉積在其中n和p摻雜劑具有不同擴(kuò)散性能的溝槽中。為了獲得不同的摻雜輪廓,可執(zhí)行熱處理。專利說(shuō)明補(bǔ)償器件 [0001 ] 本申請(qǐng)涉及補(bǔ)償器件并且涉及可用于制造這種補(bǔ)償器件的方法和裝置。 背景技術(shù) [0002]已經(jīng)越來(lái)越多地研究諸如使用補(bǔ)償區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。