技術編號：7052170
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例公開了，包括獲取P型重摻雜硅襯底；使用電感耦合等離子體-反應離子刻蝕法（ICP-RIE）對硅襯底進行刻蝕，在硅襯底表面上形成黑硅層；在黑硅層表面沉積鈍化層。本發(fā)明的實施例的方法中，采用的是P型重摻雜硅襯底，并且選用ICP-RIE對硅表面進行刻蝕，由于ICP刻蝕選擇比高，均勻性好，刻蝕的垂直度和光潔度較高，因此可以獲得更好的截面形貌且污染較少?？涛g之后獲得的黑硅材料再通過原子層沉積(ALD)在黑硅層表面沉積一層Al2O3鈍化層，可以降低反射，減少...
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