技術(shù)編號(hào):7051540
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別涉及。背景技術(shù)近年來(lái),LED以其壽命長(zhǎng)、發(fā)光效率高、體積小、堅(jiān)固耐用、顏色豐富等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于顯示屏、背光源、照明等領(lǐng)域。LED器件的的核心是LED外延片,如何在合適的襯底上獲得高質(zhì)量、低缺陷密度的氮化物半導(dǎo)體外延材料薄膜對(duì)于提高LED的發(fā)光效率、壽命等是最為關(guān)鍵的因素。然而,由于氮化物半導(dǎo)體外延材料薄膜自身的特性,它與常用的SiC,Al2O3襯底,尤其是價(jià)格低廉的Si襯底等都有著比較大的晶格失配和熱失配,因此如果在這些襯底上...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。