技術(shù)編號(hào)：7051505
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及采用半導(dǎo)體，尤其是涉及一種在3至5微米中波波段的InAs/ GaSb 二類超晶格紅外探測器的制作和鈍化方法。背景技術(shù)自從二十世紀(jì)四十年代第一個(gè)實(shí)用的紅外探測器研制成功以來，紅外探測器在民用、軍事、太空等諸多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。由紅外探測器組成的紅外系統(tǒng)已經(jīng)被廣泛用于夜視、導(dǎo)航、搜索、預(yù)警、目標(biāo)偵察、精確打擊等許多方面，充分顯示了紅外技術(shù)的分辨率高、 準(zhǔn)確可靠、保密性好、抗電子干擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于InAs/feSb 二類超晶格紅外探測器來說，由于在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。