技術(shù)編號(hào)：7051429
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種GaN基半導(dǎo)體器件及其制造方法。 背景技術(shù)氮化鎵基半導(dǎo)體器件的制造工藝中，目前廣泛采用一種倒裝技術(shù)來生產(chǎn)垂直電極 結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片，即在生長襯底上生長氮化鎵基半導(dǎo)體外延層后，將外延片倒裝到支撐 襯底上，然后剝離掉生長襯底。這樣生產(chǎn)出來的半導(dǎo)體芯片的支撐襯底作為電路的一部分。 在上述過程中需要用到的支撐通常為成本較為低的硅襯底或者是導(dǎo)熱性更好的 金屬襯底。支撐襯底的選擇，要考慮到導(dǎo)熱導(dǎo)電性以及襯底與氮化鎵外延層的膨脹系數(shù)，同 時(shí)還要考慮襯底的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。