技術編號：7050990
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了包括HEMT和Si肖特基二極管的、具有超過300V的擊穿電壓的級聯二極管的一個實施例。HEMT包括柵極、漏極、源極和二維電子氣溝道區(qū)，該二維電子氣溝道區(qū)連接源極和漏極并且由柵極控制。HEMT具有超過300V的擊穿電壓。Si肖特基二極管與HEMT單片集成。Si肖特基二極管包括連接至HEMT的源極的陰極、以及連接至HEMT的柵極的陽極。Si肖特基二極管具有低于300V的擊穿電壓和低于或等于0.4V的正向電壓。Si肖特基二極管的陽極形成級聯二極管的陽...
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