技術(shù)編號：7050509
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的目的在于提供一種，其具有將終端構(gòu)造中的絕緣膜和/或半絕緣膜的電荷去除的電荷去除工序。本發(fā)明涉及的具有第1檢查工序，在該工序中，對在襯底(14)上形成有單元構(gòu)造(10)和終端構(gòu)造(12)的半導體裝置的耐壓進行檢查，該單元構(gòu)造(10)用于流過主電流，該終端構(gòu)造(12)包圍該單元構(gòu)造；電荷去除工序，在該第1檢查工序之后，在該電荷去除工序中，將該終端構(gòu)造的在該襯底上方由絕緣膜(36)和/或半絕緣膜(38)形成的表面層(39)的電荷去除；以及第2檢查工序，在...
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