技術(shù)編號：7048924
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，具有降低電子漏電，降低efficiencydroop效應(yīng)，增強空穴濃度，增強發(fā)光效率的優(yōu)勢，該方法是采用如下步驟實現(xiàn)的（1）提供一過渡襯底；（2）在所述過渡襯底上依次生長P型半導(dǎo)體層和第一鍵合層；（3）提供一永久襯底；（4）在所述永久襯底上依次生長N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二鍵合層；（5）將生長有P型半導(dǎo)體層的過渡襯底以及生長有N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層的永久襯底，通過第一鍵合層和第二鍵合層進行鍵合。專利說明[0001]本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體光電器件，...
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