技術(shù)編號：7048599
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括存儲區(qū)。在存儲區(qū)上設(shè)置存儲器結(jié)構(gòu)。存儲器結(jié)構(gòu)包括第一電極、可變電阻層、保護(hù)間隔件以及第二電極。第一電極具有位于存儲區(qū)上的頂面和第一外側(cè)壁表面?？勺冸娮鑼泳哂械谝徊糠趾偷诙糠?。第一部分設(shè)置在第一電極的頂面的上方而第二部分從第一部分處向上延伸。保護(hù)間隔件設(shè)置在第一電極的頂面的部分的上方并且至少包圍可變電阻層的第二部分。保護(hù)間隔件可被配置為保護(hù)可變電阻層內(nèi)的至少一條導(dǎo)電路徑。保護(hù)間隔件具有與第一電極的第一外側(cè)壁表面基...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。