技術(shù)編號：7048378
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供了，其中被沉積在襯底的非層形成區(qū)域中的有機材料被刻蝕。所述裝置包括刻蝕室、等離子體發(fā)生器、臺和掩模，其中所述等離子體發(fā)生器被配置為將等離子體供給所述刻蝕室內(nèi)，所述臺被設(shè)置在所述刻蝕室內(nèi)并且被配置為支撐所述襯底，所述掩模被設(shè)置在所述刻蝕室內(nèi)并且被配置為朝向非像素區(qū)域引導(dǎo)所述等離子體。專利說明[0001] 相關(guān)申請的交叉引用[0002] 本申請要求于2013年5月29日向韓國專利局提交的第10-2013-0061260號韓國 專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。