技術(shù)編號(hào)：7048096
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了，包括在襯底上布置掩模層；進(jìn)行光刻以使襯底上的掩模層形成具有第一特征尺寸的第一圖形；在該第一圖形上沉積一層二氧化硅作為共形層，覆蓋被第一圖形暴露出來的襯底表面，并形成均勻覆蓋第一圖形的側(cè)墻；在該側(cè)墻形成的基礎(chǔ)上沉積一層氮化硅作為填充層，并通過化學(xué)機(jī)械研磨對填充層進(jìn)行平坦化，以暴露出掩模層；通過濕法刻蝕去除氮化硅，留下二氧化硅和掩模層；執(zhí)行灰化工藝選擇性的去除掩模層，僅留下二氧化硅形成的側(cè)墻；利用二氧化硅作為刻蝕掩模進(jìn)行刻蝕，形成小于具有小于第一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。