技術(shù)編號：7047821
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種基于表面等離子體效應(yīng)增強吸收的InGaAs光探測器。該InGaAs光探測器包括半導(dǎo)體襯底，其兩面拋光；依次沉積于半導(dǎo)體襯底上表面的緩沖層、下?lián)诫s層、吸收層、上摻雜層；形成于上摻雜層上的金屬光柵層，該金屬光柵層為二維周期性亞波長光柵；其中，入射光波由半導(dǎo)體襯底未沉積薄膜的一面射入，從下?lián)诫s層和上摻雜層分別電性連接出該InGaAs紅外光探測器的兩電極，該兩電極引入外加偏壓并收集探測信號。本發(fā)明采用二維的周期性金屬孔陣結(jié)構(gòu)，可以與探測的光波發(fā)生耦...
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