技術(shù)編號(hào)：7047796
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。，涉及一種鍺光電探測(cè)器。1)在襯底上外延生長(zhǎng)單晶鍺層，再在鍺層上生長(zhǎng)SiO2覆蓋層；2)利用微電子光刻技術(shù)在外延單晶鍺層上刻蝕出細(xì)長(zhǎng)條的有源區(qū)臺(tái)面；3)利用單晶鍺層上面的SiO2覆蓋層做掩蔽，通過側(cè)向大偏角離子注入在臺(tái)面兩側(cè)形成摻雜p區(qū)與摻雜n區(qū)；4)沉積金屬Ni層后熱退火，利用NiGe、NiSi形成時(shí)的自對(duì)準(zhǔn)工藝在臺(tái)面兩側(cè)及刻蝕區(qū)底部形成NiGe和NiSi接觸電極；5)引出器件電極，保護(hù)鈍化層，即得橫向p-i-n結(jié)構(gòu)Ge光電探測(cè)器。工藝簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。