技術編號：7047469
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。針對半導體晶圓，作為進行電氣特性評價前的處理，實施保護膜形成工序處理。在該處理中，在形成作為保護膜的絕緣膜之后，通過實施照相制版處理和蝕刻處理，從而形成具有將發(fā)射極電極(11)露出的多個開口部(17)的保護膜(16)。然后，通過經(jīng)由各個開口部(17)，使接觸探針與露出的發(fā)射極電極(11)接觸，從而進行電氣特性評價。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及，特別是涉及具有評價電氣特性的工序的。 背景技術 [0002]在半導體裝置的制造中，對形成于半導體襯底...
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