技術(shù)編號：7047070
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種有機物層的等離子刻蝕方法，，特別涉及一種在低臨界尺寸(critical dimension CD)要求下的有機物層的刻蝕方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域內(nèi)，利用等離子來進(jìn)行加工的各種反應(yīng)腔普遍存在。隨著加工精度越來越高，臨界尺寸(critical dimension)越來越小,現(xiàn)在業(yè)界的臨界尺寸已經(jīng)達(dá)到了 45nm以下，如22nm的CPU已經(jīng)面世。而現(xiàn)有的通過光學(xué)方法對光刻膠進(jìn)行照射來獲得加工圖形的方法最小臨界尺寸僅能達(dá)到45nm左右，要獲...
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