技術(shù)編號：7047055
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及超級結(jié)深溝槽刻蝕工藝的改進(jìn)方法。背景技術(shù)深槽型超級結(jié)產(chǎn)品是利用挖深槽，然后在深槽內(nèi)用填充工藝(如EPI工藝)填入與襯底相反型的摻雜硅來實現(xiàn)的。由于超級結(jié)產(chǎn)品要求的擊穿電壓較高，因此要求溝槽必須達(dá)到一定的深度，這就給深槽刻蝕工藝帶來了較高的要求。因為依照基準(zhǔn)工藝流程生長的硬掩膜只能覆蓋在晶圓的正面，晶圓的邊緣位置覆蓋不到(見圖1)，因此，晶圓的邊緣會受到深溝槽刻蝕工藝帶來的損傷，如圖2所示，導(dǎo)致晶圓邊緣產(chǎn)生缺陷，進(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。