技術(shù)編號：7046967
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了，其中溝槽功率器件結(jié)構(gòu)，包括有源區(qū)和終端兩部分結(jié)構(gòu)，有源區(qū)最外圍一圈溝槽開始直到器件邊緣，溝槽設(shè)于第一層光刻版上，第二層光刻版上設(shè)有LOCOS區(qū)域，第二層光刻版上設(shè)有接觸孔，第四層光刻版上設(shè)有源極與柵極；本發(fā)明采取溝槽隔離與LOCOS相結(jié)合。本發(fā)明基于各種終端結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，使得本發(fā)明的工藝簡單，成本低廉，占用面積非常少且具有很寬的電壓適應范圍等優(yōu)點。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，尤其是。背景技術(shù)[0002]目前，金屬氧化物...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。