技術(shù)編號(hào)：7046864
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，其為利用了離子注入法的新的。本發(fā)明的一方式的包括準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備具有第1導(dǎo)電型的硅層和覆蓋硅層的包覆膜的太陽(yáng)能電池用基板；及發(fā)射極層形成工序，經(jīng)由包覆膜朝向硅層照射第2導(dǎo)電型的離子，在硅層的受光面?zhèn)鹊囊徊糠值膮^(qū)域形成發(fā)射極層。發(fā)射極層形成工序中，以離子的射程成為從包覆膜的表面到包覆膜與硅層的界面的距離的能量照射該離子。專(zhuān)利說(shuō)明 [0001]本申請(qǐng)主張基于2013年5月27日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2013-110595號(hào)的優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)的全...
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