技術(shù)編號：7046855
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，通過采用氮氣來稀釋反應(yīng)氣體中氫氣的含量來減少Si-SiO2界面產(chǎn)生Si-H鍵和S-O-H鍵的數(shù)量，并在形成氧化膜之后對基底實時高溫處理來加快氧化膜內(nèi)部結(jié)構(gòu)的應(yīng)力釋放,以減少界面附近發(fā)生斷裂鍵而產(chǎn)生界面態(tài)的可能。采用本發(fā)明所提供的方法能有效地減少柵氧化膜的界面態(tài)總電荷至少一個數(shù)量級，并且柵氧化層具有穩(wěn)定的含氮量，能提高器件的壽命和性能。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種。背景技術(shù)[0002]隨著半導(dǎo)體器件的尺寸的縮小，應(yīng)用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。