技術編號：7046387
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種階梯式溝槽MOS肖特基二極管器件，包括N+半導體襯底；N-外延層，位于N+半導體襯底上；N-外延層上加工階梯狀的溝槽結(jié)構(gòu)；梯形溝槽內(nèi)壁生長氧化層；N-外延層上及溝槽內(nèi)生長肖特基接觸的陽極金屬；N+襯底下面生長歐姆接觸的陰極金屬。所述的溝槽結(jié)構(gòu)是由兩個直角溝槽形成階梯狀溝槽；即N-外延層的截面為周期性排列的凸出狀。將傳統(tǒng)TMBS里面的直角溝槽的上部溝槽寬度變寬，這樣能有效的調(diào)節(jié)溝槽中不同部位的電場耦合作用，從而調(diào)節(jié)溝槽中間有源區(qū)不同深度處電場...
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