技術(shù)編號(hào)：7046053
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種，所述包括清洗單晶硅襯底；對(duì)所述單晶硅襯底表面執(zhí)行原位刻蝕；在所述單晶硅襯底表面生長(zhǎng)鍺硅外延層。在本發(fā)明提供的中，通過對(duì)所述單晶硅襯底表面執(zhí)行原位刻蝕，便可去除自然生長(zhǎng)的氧化層，從而避免了所形成的鍺硅外延層中產(chǎn)生層錯(cuò)、位錯(cuò)、滑移線等晶格缺陷，進(jìn)而可提高器件/產(chǎn)品質(zhì)量。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造，特別涉及一種。背景技術(shù)[0002]異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Hetero-junctionBipolar Transistor,簡(jiǎn)稱 HBT...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。