技術(shù)編號：7045761
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，該制作方法是通過臭氧氧化的工藝，在硅基底與氮化硅之間制作一層氧化硅層。由于臭氧的氧化能力極強，能夠在硅基底表面迅速的生成一層致密氧化硅層。該氧化硅層，能夠在非常薄的情況下，滿足抗PID的需求，因而避免了現(xiàn)有技術(shù)中，由于氧化硅層過厚帶來造成的減反效果降低的問題，使得本發(fā)明的太陽能電池產(chǎn)品完美的解決了抗PID和光利用率的矛盾問題。該薄膜具有出色的表面鈍化效果，相比單一的氮化硅薄膜，其制作的電池可以獲得額外的2～3mV開壓...
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