技術(shù)編號：7045184
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。，主要步驟包括選取bar條具有數(shù)個不同條寬的半導(dǎo)體激光陣列器件；將各發(fā)光單元條寬按一定方式依次排列光刻；在所述排列中各相鄰陣列器件之間，選取不同的間距；根據(jù)特定要求，將所述半導(dǎo)體激光陣列器件的條寬和間距按照一定的尺寸光刻，使bar慢軸方向光場按所述特定要求分布。本發(fā)明方法直接從半導(dǎo)體激光器的光源入手，實現(xiàn)慢軸方向光場分布的改變，不僅可以使半導(dǎo)體激光bar獲得特定要求的慢軸方向光場分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆層的硬度，而且還避免了其結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，使其得到...
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