技術(shù)編號：7044081
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微電子，具體為一種硅基CMOS圖像傳感器及其抑制光生載流子表面陷阱復合的方法。本發(fā)明硅基CMOS圖像傳感器，具有光生載流子的轉(zhuǎn)移效率高、表面復合率低的特性，具體包括光電二極管（PPD），浮動擴散區(qū)（FD），傳遞晶體管（TX），淺槽隔離區(qū)（STI），抗穿通注入?yún)^(qū)（APT），以及通過兩次不同位置、不同能量、不同劑量的離子注入在局部自對準形成的表面陷阱抑制層，同時獲得高的光生載流子轉(zhuǎn)移效率和低的表面陷阱復合率。專利說明一種硅基CMOS圖像傳感器及其抑制...
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