技術(shù)編號：7043842
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供，其二極管外延片結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為襯底、中溫GaN緩沖層、N型GaN層、淺量子阱、復(fù)合量子阱層、P型GaN層、P型AlGaN層、P型GaN層、P型接觸層、P型變量摻雜層，在InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層與P型AlGaN之間生長具有In摻雜的低溫P型氮化鎵層，接下生長的P型AlGaN層可將In完全析出，大大提高空穴濃度，同時在P型AlGaN層后低溫生長P型氮化鎵層，低溫P型氮化鎵層可抑制P型摻雜劑的擴散作用；本發(fā)明有效改善接觸層后所帶來的外...
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